开云手机入口-开云(中国)



漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

700

导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

380

导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

430

最大漏极电流Id(on)(A)：

11

通道极性：

N沟道

封装/温度(℃)：

TO-220F-3L/-55~125

描述：

700V,430mΩ,11A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


开云手机入口-开云(中国)

开云手机入口-开云(中国)